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【央视新闻客户端
丨联播 + 丨在新加坡海事博物馆里，一艘三层楼高的郑和宝船静静矗立。它一比一复刻了明代远洋巨舰的原貌。习近平主席在新加坡国立大学演讲时，曾专门提到这艘宝船，以此回望六百多年前郑和下西洋的壮阔航程。一脉海韵承千古，万里云帆向新程。2013 年，习近平主席在印度尼西亚国会发表演讲时，首次提出共同建设 21 世纪海上丝绸之路倡议。如今，148 条“丝路海运”命名的航线，通达全球 150 座港口，联盟成员已达 375 家，涵盖航运、能源、制造、互联网等多个领域。一代代“丝路人”赓续航海精神，以和平为帆、合作为桨，在时代的潮涌中，架起东西方交融的纽带，铺就共同发展的通途。
半导体封测行业正在经历一轮史无前例的资本开支扩张。比如，6 月 24 日，长电科技（600584.SH）公告，拟投资 78 亿元在上海临港新建高端先进封测工厂，一期计划 2028 年下半年完成。实际上，在 2026 年上半年，国内四家封测龙头长电科技、通富微电（002156.SZ）、华天科技（002185.SZ）和甬矽电子（688362.SH）累计已宣布扩产投资额超过 270 亿元，全部聚焦 AI 算力核心领域。所谓封测，是芯片制造出来后的最后一步，由封装（将晶圆上切下来的裸片装进外壳，保护并引出引脚）和测试（对封装好的芯片进行功能、性能检测，筛出不良品）两部分组成。长期以来，封测在半导体产业链上充当的都是 " 配角 "。过去几十年，芯片性能的提升主要靠制程微缩，即把晶体管做得越来越小，使得同样面积的芯片上能放下更多晶体管，算力也随之提升。比如，1971 年英特尔第一款商用处理器 4004 上有 2300 个晶体管，到 2024 年英伟达的 B200 GPU 已经集成超过 2080 亿个晶体管。在制程微缩的这套逻辑里，封装的技术门槛和利润率都不算高。但制程微缩正在逼近物理极限，当晶体管的栅极宽度只剩十几个原子的时候，电子会因为量子隧穿效应从半导体中 " 逃逸 "（穿透本应阻隔它的绝缘层，导致漏电），晶体管的开关功能随之失效。于是，行业开始转向另一条路径：把多颗芯片纵向堆叠起来，用封装工艺将它们连成一个整体，靠缩短芯片之间的物理距离来提升系统性能。在这方面，华为 7 月 3 日更新的韬定律 V2 版论文给出了一份清晰的路线图：逻辑折叠（一种将芯片电路拆分到多层晶圆上纵向堆叠的技术）将从当前的两层演进到三层、四层甚至更多层，每多叠一层，封装端就要多做一轮完整的制造流程。这也意味着，逻辑折叠这条路径正在把封装从制造流程末端的 " 打包 " 环节，变成直接决定芯片性能上限的核心工序。对此，芯片说 ICTIME 首席分析师林美炳告诉经济观察报记者，当芯片从平面走向立体，封装工艺的精度和复杂度已经接近甚至超过部分前道制程，封装行业的角色正在被重新定义。根据市场研究机构 Yole 的统计，2026 年全球先进封装市场规模达到 522 亿美元，在整体封装市场中的占比首次突破 54%。供不应求AI 算力芯片对先进封装产能的需求正在以超出预期的速度增长。台积电的 CoWoS 封装（一种将算力芯片和高带宽内存通过硅中介层连接在一起的 2.5D 封装技术）是当前全球 AI 芯片的主流封装方案，英伟达 H100/H200/GB200、AMD MI300 系列等产品均采用这一架构。台积电董事长魏哲家在 2026 年 4 月的第一季度法人说明会上强调，先进封装产能持续供不应求，英伟达、博通、AMD 等头部客户已锁定绝大部分产能，排期延至 2026 年底甚至更晚。台积电计划到 2027 年将先进封装年产能从当前的 130 万片晶圆提升至 200 万片，增幅超过 50%。即便如此，市场调研机构仍然预计，全球 2.5D 封装的严重短缺要到 2027 年才会开始略有缓解。与此同时，单颗 AI 芯片的封装面积也在快速扩大。记者在采访过程中了解到，过去一颗算力芯片搭配五六颗 HBM（高带宽内存）来封装，新一代产品已经是两颗算力芯片加上多颗 HBM 的组合，封装面积成倍增长。比如，同样一张 12 英寸的 CoWoS 圆片，过去可以切出 30 到 45 颗封装成品，封装面积增大之后可能只能切出 8 颗左右。另外，产能的消耗速度也远快于产能的扩充速度。台积电自身也在调整资源分配，将更多产能投向技术难度更高的 3D 封装方向，部分 2.5D 项目开始向外溢出，这也给国内封测企业打开了一个承接窗口。长电科技在 4 月 30 日的年度业绩说明会上表示，公司 2.5D 产品加速量产导入运算电子领域，客户需求持续强劲，一季度国内主要工厂订单饱满，产能利用率超过 80%。长电科技董事、CEO 郑力此前在 SEMICON China 2026 上也谈到了类似的趋势：" 当精度进入原子级之后，整个制造逻辑就发生了变化，芯片制造不再单纯依赖晶体管尺寸的缩小，而是转向通过系统结构优化来实现性能提升。"国内封测企业在同步加码扩产。公开信息显示，通富微电的苏州通富超威二期工厂 5 月正式开工，专为 AMD 新一代服务器 CPU 和 AI 芯片配套高端 FCBGA（倒装芯片球栅阵列封装）产线，一期产线已满产排单至 2026 年年底。通富微电在年报中披露，苏州工厂大尺寸多芯片产品良率达到 OSAT（委外封装测试代工）领先水平，槟城工厂 3nm 多芯片产品封装也已通过验证，bumping（凸点工艺）和晶圆测试顺利投产。华天科技（002185.SZ）在 4 月 13 日的年度业绩说明会上表示，2025 年聚焦国内 CPU、GPU 等重点客户拓展与产业化落地，战略客户销售目标完成率达到 108%。华天科技 2025 年设立了南京华天先进封装子公司，注册资本 20 亿元，专攻 2.5D/3D 封装技术；2026 年 5 月又追加 30 亿元投资建设南京先进封测产业基地二期二阶段项目。该公司还在 2025 年年报中披露，2.5D 封装技术平台研发取得积极进展，CPO 封装技术研发也在推进中。甬矽电子（688362.SH）在 2026 年初的一场投资者交流活动上也表示，公司 2.5D 封装产线已于 2024 年四季度通线。该公司 5 月 26 日发布的相关公告显示，2.5D 封装产品线目前正在客户送样验证阶段，尚未实现量产。6 月 26 日，该公司发布对外投资公告，拟投资 103 亿元建设先进封装三期项目，建设期预计 96 个月。封测企业之所以敢在先进封装上大规模投入，根本原因在于利润结构正在发生变化。一位产业链人士告诉经济观察报记者，传统封测的毛利率在十几个点左右、净利率则有四五个点，行业长期是半导体产业链上利润最薄的一环，而先进封装的净利率可以接近 30%，二者几乎是两种不同的生意。从上市公司的财务数据也可以看到这种差异。比如，通富微电 2026 年一季度归母净利润 3.29 亿元，同比增长 224.55%，利润增速远超营收增速，先进封装业务占比提升是主要原因。当先进封装在收入中的占比持续上升，封测企业的利润中枢也在跟着改变，但扩产速度仍受供应链约束。在半导体设备行业工作多年的工程师蒋彬告诉经济观察报记者，先进封装的资本密度远超传统封装，每万片月产能的资本开支需要 80 亿元到 100 亿元，比建一条 28nm 晶圆产线还贵，接近 14nm 晶圆产线的投入水平。从设备进场到通线、再到爬坡完成客户导入，最快也需要一年半。蒋彬表示，部分核心封装设备的交期已经拉长到一年以上，封装厂不是不想扩，是设备排不上队。已有厂商因为设备交付延迟而被迫调整扩产计划，原定 2026 年新增的产能只能先开出一半，剩余部分推迟到 2027 年。此外，材料端同样紧张，高端覆铜板的交期从正常的一周左右拉长到六周以上，ABF 基板（一种用于高端芯片封装的有机载板）的价格也在快速上涨。在采访过程中，多位业内人士告诉记者，按照当前的扩产节奏和设备交付周期，行业供需缺口至少还要维持三到四个季度。多重挑战产能扩张解决的是量的问题，先进封装面临的技术挑战同样在加大。林美炳告诉记者，AI 服务器的 BOM（物料清单）成本结构正在发生剧变。以英伟达 A100（英伟达 2020 年发布的一款数据中心 GPU）服务器为参照，彼时 GPU 的价值占比高达 90% 到 95%；而到了英伟达最新一代的 Blackwell 平台，由于单颗 GPU 需要搭配更多的 HBM 和更大面积的封装基板，GPU 的价值占比已降至约 60%，存储的价值占比升至 25% 到 30%，PCB（印制电路板）和光模块的价值量增长了约三倍。这意味着 AI 服务器中需要先进封装工艺来集成的部件越来越多，封装环节在整个算力硬件成本中的权重正在上升。另外，互连效率和系统集成正在取代单一制程升级，成为 AI 服务器性能提升的核心驱动力之一。海光信息（688041.SH）副总裁应志伟告诉记者，AI 算力集群正在向万卡规模升级，数据调度、内存协同成为制约整体效率的关键环节。这些环节的物理实现高度依赖封装工艺，芯片之间的通信距离每缩短一个量级，系统延迟和功耗都会有明显改善。也就是说，封装产能的紧缺不只影响单颗芯片的出货，甚至可以卡住整个算力系统的交付节奏。芯片从两层堆叠走向三层、四层之后，封装工艺面临的技术挑战也在同步升级，集中在三个方向：互连、散热和基板材料。传统封装靠微凸点把上下两颗芯片连起来。微凸点是在芯片表面生长的数以百万计的微小焊球，两颗芯片的焊球对齐后加热熔化，焊料把上下两面粘在一起，实现物理连接和电气导通。这种方式的瓶颈在间距：凸点之间普遍在 20 微米以上，做到十几微米就已经非常困难。间距越大，单位面积内能容纳的连接通道就越少，芯片之间的通信带宽就越受限。于是，混合键合（Hybrid Bonding）换了一种思路——取消凸点，直接在芯片表面刻出铜焊盘和二氧化硅介质层，两片晶圆铜面对齐后通过加热使铜膨胀，铜与铜、介质与介质完成原子级的直接互连。这种工艺的间距可以做到 5 微米以下，未来甚至可以向 1 微米以内发展，连接密度比微凸点方案高出数个数量级。产业界以 10 微米作为分界线，低于这个门槛的互连只能用混合键合来实现。林美炳告诉记者，混合键合是先进封装未来三到五年最确定的技术方向，且中国在存储和逻辑芯片领域有机会率先大规模应用这项技术。目前，三星、美光、SK 海力士已经明确宣布，下一代高带宽内存 HBM5（一种通过多层 DRAM 芯片垂直堆叠来大幅提升存储带宽的技术）的 20 层堆叠方案必须采用混合键合，传统微凸点在物理上已经不可行。而在设备方面，全球混合键合设备市场目前由荷兰 BESI（贝思半导体）主导，占据约 70% 的份额。事实上，国产设备厂商在这个领域的追赶速度比光刻机要快得多。比如，拓荆科技（688072.SH）2025 年年报显示，该公司混合键合设备实现营收 1.36 亿元，同比增长 41.92%；该公司也是国内首家实现晶圆对晶圆混合键合商用量产的企业，设备对准精度达到 ±30nm（纳米）。此外，北方华创（002371.SZ）在 2026 年 3 月的 SEMICON China 2026 展会上发布了芯片对晶圆混合键合设备 Qomola HPD30。多位业内人士告诉记者，国产混合键合设备与国际领先水平的差距正在快速缩小，预计未来三到五年中国大陆将成为这类设备与材料率先起量的市场。散热则是多层堆叠最棘手的工程问题。芯片叠在一起之后，下层的热量必须穿过键合界面和上层芯片才能到达顶部散热片，而上层芯片本身也在发热。两层叠在一起，单位面积的功率密度翻倍，层数越多，底层温度越容易超过芯片的工作上限。华为在韬定律 V2 论文中提出了 " 热感知分区 " 策略，在芯片设计阶段就把高发热的逻辑单元交错排列，像棋盘一样让上下层避免高功耗区域重叠，同时研发超薄高导热界面材料，从纵向和横向同时插入散热通道。林美炳认为，散热方案正在从芯片外部走向芯片内部，未来封装架构本身可能会直接集成碳化硅散热板或金刚石导热材料。另外，基板材料也面临升级压力。当前主流的 CoWoS 封装使用硅中介层或 ABF 有机载板作为芯片之间的 " 桥梁 "，随着 AI 芯片面积越做越大、集成的芯粒越来越多，有机载板在大尺寸加工时容易因热膨胀不均匀而翘曲、断路，良率和可靠性都成问题。相较而言，玻璃的热膨胀系数远小于有机材料，平整度更高，成本比硅中介层更低，也更容易制造成大尺寸，信号损耗特性还更适合高频通信。目前，台积电、三星、英特尔、AMD 等公司均已在玻璃基板方向有所布局。康宁公司副总裁、康宁大中国区总裁兼总经理林春梅在接受经济观察报记者采访时表示，玻璃封装目前还没有完全成熟，还没有形成巨大的市场，但确实引起了行业关注。长电科技 6 月 24 日公告拟追加 78 亿元建设高端先进封测工厂，重点面向 AI 算力芯片、高性能处理器和汽车电子等领域。该公司在 2025 年年报中明确提到，将继续推动 2.5D/3D 封装、玻璃基板及光电合封（将光芯片和电芯片封装在一起，用光信号替代电信号进行芯片间通信）等前沿领域的技术突破。蒋彬认为，封装行业正在经历的这轮变化和以往的周期性景气波动不同，它是一次结构性的产业升级。当芯片封装从平面走向立体，封装厂需要的不只是更大的厂房和更多的设备，而是一整套和过去完全不同的工艺能力、材料体系和人才储备。换句话来说，未来的封测行业，或将变得越来越像晶圆制造——重资产、高精度、长验证周期。
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